创腾科技邀请您参加2011年材料科学模拟技术专题系列网络讲座。欢迎参加！ 
培训主题：Materials studio软件半导体缺陷形成能的计算 
培训时间：2011年12月27日（周二），下午14:00 
培训形式：WebEx网络培训（免费） 
主 讲 人：张平霞——产品技术支持　 材料科学部门 
注册地址： 
1. 转至　 https://neotrident.webex.com.cn/neotrident-sc/k2/j.php?ED=6091537&UID=36726672&HMAC=5784c2df634931f2a25c71751d153ad3b9e7f113&RT=NiM0NQ%3D%3D&FM=1 并注册 
2. 注册后，您将收到一封登录地址链接的邮件。　
3. 按照屏幕上显示的说明进行操作。 
 
培训内容：半导体材料在生产实践中有重要的应用价值，被广泛的应用于各种器件中，具有良好的发展前景。半导体中有选择地引入各种缺陷（如空位、间隙或取代等），可以控制材料中载流子的数量，这对于改善半导体的各方面性能极为重要。对于一个半导体元件而言，材料晶格的缺陷通常是影响元件性能的主因。人们通过 Materials Studio中的量子力学程序CASTEP，进行几何优化，得到各种缺陷情况下的稳定构象，计算各种缺陷的形成能和电离能，研究杂质缺陷与被掺杂体系的相互作用，搞清楚有关杂质及缺陷的具体特性，了解其在生长过程中形成缺陷和载流子的难易程度，将为筛选性能优良的半导体材料提供理论支持，这对于研究半导体掺杂技术具有重要的指导意义。 
注: 本次网络培训属于2011年材料科学模拟技术系列培训课程，我们会陆续推出后续的课程，最新课程安排请关注我们的网站或联系我们索取相关资料。 
联系人:万小姐 
电话：021-58353866转242； 
传真：021-50158556； 
Email：market@neotrident.com 
Web: www.neotrident.com 
 
2011年12月